КТ 630,830,831,505 и подобные

Содержание золота: 0,0140 г;
Цена на б/у
94.06 руб.
Цена за новые
110 руб.
Информация о «КТ 630,830,831,505 и подобные»
КТ630
Тип: Кремниевый n-p-n биполярный транзистор общего назначения.
Основные характеристики:
- Напряжение коллектор-эмиттер: до 400 В.
- Ток коллектора: до 4 А.
- Мощность рассеивания: до 25 Вт.
- Коэффициент усиления тока (hFE): от 40 до 200.
Особенности:
- Подходит для использования в высоковольтных схемах.
- Имеет металлический корпус ТО-3, обеспечивающий хорошее охлаждение.
Применение:
- Высокочастотные усилительные каскады.
- Выпрямление высоких напряжений.
- Преобразовательные устройства.
---
КТ830
Тип: Кремниевый n-p-n мощный биполярный транзистор.
Основные характеристики:
- Напряжение коллектор-эмиттер: до 700 В.
- Ток коллектора: до 8 А.
- Мощность рассеивания: до 80 Вт.
- Коэффициент усиления тока (hFE): от 12 до 35.
Особенности:
- Применяется в мощной силовой электронике.
- Корпус ТО-3 обеспечивает эффективное охлаждение.
Применение:
- Импульсные источники питания.
- Силовые преобразователи.
- Высоковольтные усилители.
---
КТ831
Тип: Кремниевый p-n-p мощный биполярный транзистор.
Основные характеристики:
- Напряжение коллектор-эмиттер: до 500 В.
- Ток коллектора: до 7 А.
- Мощность рассеивания: до 70 Вт.
- Коэффициент усиления тока (hFE): от 12 до 32.
Особенности:
- Используется там, где нужен p-n-p тип транзистора для согласования схем.
- Металлический корпус ТО-3.
Тип: Кремниевый n-p-n биполярный транзистор общего назначения.
Основные характеристики:
- Напряжение коллектор-эмиттер: до 400 В.
- Ток коллектора: до 4 А.
- Мощность рассеивания: до 25 Вт.
- Коэффициент усиления тока (hFE): от 40 до 200.
Особенности:
- Подходит для использования в высоковольтных схемах.
- Имеет металлический корпус ТО-3, обеспечивающий хорошее охлаждение.
Применение:
- Высокочастотные усилительные каскады.
- Выпрямление высоких напряжений.
- Преобразовательные устройства.
---
КТ830
Тип: Кремниевый n-p-n мощный биполярный транзистор.
Основные характеристики:
- Напряжение коллектор-эмиттер: до 700 В.
- Ток коллектора: до 8 А.
- Мощность рассеивания: до 80 Вт.
- Коэффициент усиления тока (hFE): от 12 до 35.
Особенности:
- Применяется в мощной силовой электронике.
- Корпус ТО-3 обеспечивает эффективное охлаждение.
Применение:
- Импульсные источники питания.
- Силовые преобразователи.
- Высоковольтные усилители.
---
КТ831
Тип: Кремниевый p-n-p мощный биполярный транзистор.
Основные характеристики:
- Напряжение коллектор-эмиттер: до 500 В.
- Ток коллектора: до 7 А.
- Мощность рассеивания: до 70 Вт.
- Коэффициент усиления тока (hFE): от 12 до 32.
Особенности:
- Используется там, где нужен p-n-p тип транзистора для согласования схем.
- Металлический корпус ТО-3.