КТ 803,808,809 по 1986 год

Транзисторы серии КТ803, КТ808 и КТ809 относятся к мощным кремниевым биполярным транзисторам n-p-n структуры, которые были разработаны для использования в высокочастотных и мощных усилительных схемах. Эти транзисторы часто используются в выходных каскадах усилителей мощности, источниках питания и других силовых электронных устройствах.

Основные параметры транзисторов серии КТ803/808/809:

1. Тип проводимости:  
   - n-p-n структура.

2. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ max):  
   - Обычно составляет около 400-800 В.

3. Максимальный ток коллектора (Iк max):  
   - Типичное значение для КТ803 составляет около 10 А, для КТ808 - около 15 А, для КТ809 - около 20 А.

4. Максимальная рассеиваемая мощность (Pmax):  
   - Ограничена значениями порядка 50-100 Вт.

5. Коэффициент усиления по току (h21э):  
   - Величина, характеризующая усиление сигнала, зависит от конкретного устройства и условий эксплуатации.

6. Сопротивление открытого состояния (Rce(sat)):  
   - Значение сопротивления между коллектором и эмиттером при включенном транзисторе обычно невелико, что обеспечивает минимальное падение напряжения на транзисторе.

7. Температурный диапазон:  
   - Рабочие температуры этих транзисторов находятся в пределах от -60 °C до +150 °C.

8. Частотные характеристики:  
   - Транзисторы КТ803/808/809 обладают хорошими частотными характеристиками, что делает их пригодными для работы в генераторах сигналов и коммутирующих схемах.