Транзисторы импортные

Импортные транзисторы охватывают широкий спектр типов и характеристик, однако наиболее распространены следующие типы транзисторов: биполярные транзисторы (BJT), полевые транзисторы (FET) и MOSFET. 

Биполярные транзисторы (BJT):

Описание:
Биполярные транзисторы состоят из трех слоев полупроводникового материала (обычно кремния или германия), образуя два PN-перехода. Существует два основных типа BJT: NPN и PNP.

Характеристики:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): до 200 В.
- Максимальный ток коллектора (IC): до нескольких ампер.
- Коэффициент усиления по току (hFE): от 10 до 1000.
- Температурный диапазон: от -55°C до +150°C.
- Частоты переключения: до нескольких мегагерц.


Полевые транзисторы (JFET и MOSFET):

Описание:
Полевой транзистор управляется электрическим полем, создаваемым напряжением на затворе относительно истока. JFET имеет три вывода: затвор, источник и сток. MOSFET дополнительно включает подложку.

Характеристики:
- Напряжение пробоя затвора (VGSS): до 30 В.
- Ток стока (ID): до нескольких ампер.
- Сопротивление открытого канала (RDSON): от миллиом до нескольких ом.
- Температурный диапазон: от -55°C до +175°C.
- Частоты переключения: до нескольких гигагерц.