Транзистор 1Т311Г

Транзистор 1Т311Г представляет собой кремниевый биполярный транзистор p-n-p структуры. Этот транзистор предназначен для использования в малосигнальных схемах, таких как предварительные усилители, генераторы и коммутаторы. Рассмотрим основные технические характеристики этого транзистора.

Основные параметры транзистора 1Т311Г:

1. Тип проводимости:  
   - p-n-p структура.

2. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ max):  
   - Обычно составляет около 20-40 В.

3. Максимальный ток коллектора (Iк max):  
   - Типичное значение для 1Т311Г составляет около 50-100 мА.

4. Максимальная рассеиваемая мощность (Pmax):  
   - Ограничивается значениями порядка 150-300 мВт.

5. Коэффициент усиления по току (h21э):  
   - Величина, характеризующая усиление сигнала, находится в диапазоне 20-100.

6. Температурный диапазон:  
   - Рабочие температуры этих транзисторов составляют от -55°C до +85°C.

7. Частотные характеристики:  
   - Транзисторы этой серии обладают хорошей частотной характеристикой, что делает их пригодными для работы в широком спектре приложений, включая генераторы сигналов и коммутирующие схемы.

8. Применение:  
   - Эти транзисторы используются в различных электронных устройствах, таких как усилители звука, источники питания, системы управления и другие.